Проблемы с масштабированием в производстве SRAM на 2-нм техпроцессе TSMC

Согласно данным, полученным от TSMC и опубликованным ресурсом ComputerBase.de, так называемый «закон Мура» не всегда способствует прогрессу в различных областях. В частности, новейший 2-нм техпроцесс не улучшит масштабирование для ячеек памяти типа SRAM. Несмотря на ожидания, связанные с 2-нм технологией, TSMC сообщила, что ситуация с SRAM останется на уровне техпроцессов N3 и N5.

Площадь одной ячейки памяти SRAM при 3-нм и 5-нм техпроцессах составляет 0,021 квадратных микрометра, в то время как техпроцесс N7 предлагает площадь 0,026 квадратных микрометра. Ячейки SRAM играют важную роль в современных чипах, формируя кеш-память и влияя на эффективность.

С учетом отсутствия значительного прогресса и появления новых функциональных блоков, связанных с ИИ, тенденция к увеличению площади процессоров останется актуальной. Что касается техпроцесса N3P, используемого для ускорителей Nvidia Vera Rubin, освоение проходит не столь гладко из-за проблем с уровнем брака, что может привести к необходимости новой ревизии. TSMC в прошлом уже сталкивалась с подобными трудностями, затрачивая время на исправление дефектов без ущерба для рынка.

Понравилась статья? Поделиться с друзьями: