Корейский гигант Samsung анонсировал старт массового производства и коммерческих поставок новой памяти HBM4, став первой компанией, достигнувшей этой вехи в отрасли. Среди ключевых особенностей новинки — применение передового 4-нм техпроцесса для логического слоя и шестого поколения 10-нм класса (1c) для DRAM-кирпичей. Это позволило добиться выдающихся показателей производительности без радикальных изменений в архитектуре. Скорость передачи данных составляет 11,7 Гбит/с, с рекордной максимальной величиной в 13 Гбит/с. Пропускная способность выросла до 3,3 ТБ/с на стек, что в 2,7 раза превышает возможности предшественника HBM3E. Важным достижением стало улучшение энергоэффективности на 40% при удвоении количества контактов ввода-вывода — с 1024 до 2048. В настоящее время доступны модули объемом 24 и 36 ГБ (12 слоев), а скоро появятся 16-слойные версии с объемом 48 ГБ. Samsung предсказывает резкий рост спроса на эту память, ожидая, что к 2026 году продажи HBM утроятся по сравнению с 2025 годом. Кроме того, в 2026 году начнется тестирование усовершенствованной версии HBM4E, а с 2027 года компания планирует выпуск памяти по индивидуальным требованиям клиентов.
0
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Вам также может быть интересно
Интернет-магазин профессиональной косметики и БАД В современном мире ухоженная внешность стала не только признаком
Услуги по пошиву штор на заказ в Орле Современный интерьер невозможно представить без красивых
Игровая зависимость давно перестала быть проблемой узкого круга людей. Она затрагивает подростков, взрослых, состоявшихся
Чистая питьевая вода — один из базовых элементов комфортной жизни, о котором задумываются далеко
Покупка квартиры в новостройках Севастополя При наличии желания стать обладателем квартиры в красивом и
В последние годы мировой и локальный рынки претерпели значительные изменения, что напрямую отразилось на